日本佳能宣布將重新進入氟化氬（ArF）光刻設(shè)備市場，并計劃在2025年下半年推出新產(chǎn)品。這款光刻設(shè)備可用于制造具有更細微電路線寬的半導(dǎo)體，這也是佳能自2003年以來首次推出新的ArF光刻設(shè)備，時隔22年之久。
近年來，日本佳能的半導(dǎo)體光刻設(shè)備業(yè)務(wù)主要集中在波長較長的非先進制程領(lǐng)域，例如i線和氟化氪（KrF）光刻設(shè)備。然而，隨著半導(dǎo)體制造工藝日益復(fù)雜化，市場對更小線寬需求的增長迫使佳能重新布局，以滿足邏輯芯片等領(lǐng)域?qū)線和KrF設(shè)備無法滿足的制程需求。
此次即將推出的ArF光刻設(shè)備以KrF光刻設(shè)備為基礎(chǔ)，并搭載了適配ArF的全新鏡頭設(shè)計。這種設(shè)計能夠確保設(shè)備更容易被現(xiàn)有的KrF光刻設(shè)備用戶所接受，從而降低客戶的工廠改造成本。此外，新設(shè)備還顯著提升了吞吐量（處理能力），并強化了對齊修正功能，使重疊精度進一步提高。
佳能表示，這款設(shè)備主要針對65納米線寬的邏輯芯片及CMOS（互補型金屬氧化物半導(dǎo)體）圖像傳感器的生產(chǎn)。這些線寬要求超出了i線和KrF光刻設(shè)備的能力范圍，為佳能提供了新的市場機會。
在半導(dǎo)體制造中，由于工藝流程復(fù)雜且需求多樣，能夠在多個環(huán)節(jié)采用同一品牌光刻設(shè)備對制造商而言具有顯著優(yōu)勢。例如，可以在多個生產(chǎn)階段統(tǒng)一制造工藝配方，從而提高生產(chǎn)效率。佳能在i線和KrF光刻設(shè)備市場已經(jīng)占據(jù)較高份額，其戰(zhàn)略是向現(xiàn)有客戶推廣這款新的ArF光刻設(shè)備，強調(diào)通過使用佳能設(shè)備實現(xiàn)工藝優(yōu)化和吞吐量提升的潛在價值。
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佳能此前曾推出過ArF光刻設(shè)備，但未能充分滿足市場需求。此后，公司將資源集中在非先進制程的i線和KrF設(shè)備上，并取得了穩(wěn)定的市場份額。隨著全球半導(dǎo)體市場的持續(xù)增長，佳能希望通過重新推出ArF光刻設(shè)備，進一步擴大其市場覆蓋范圍，搶占新興領(lǐng)域的份額。
通過此次布局，佳能不僅將完善其產(chǎn)品線，還希望抓住未來幾年半導(dǎo)體市場的增長紅利。
